sexta-feira, 18 de outubro de 2013

EUV chegou um pouco tarde: litografia ultravioleta extrema não pode mesmo salvar a Lei de Moore em sua própria empresa


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SMC Para salvar a Lei de Moore, não só a indústria de semicondutores precisa mover-se para não-ainda-pronto-para-prime-time litografia ultravioleta extrema ( EUV ), ele também terá que fazer um interruptor caro do atual padrão de fabricação 300 milímetros wafer a 450mm.


Então, disse Mark Thirsk, sócio-gerente da indústria de semicondutores consultoria Linx Consulting , falando nesta semana Conferência de material estratégico , em Santa Clara, Califórnia.







"Como grande são essas bolachas?" Thirsk pediu a seu público principal. "Bem, todo mundo em os EUA parece usar Rhode Island como medida de área, de modo a wafer 450 milímetros é 1.99 nano-Rhode Islands. Só para você saber."


Embora a transição para wafers de 450 milímetros está em curso, e muito menos problemático do que o acidentado - e ainda possivelmente beco sem saída - estrada que é EUV, Thirsk disse que 450 milímetros não vai começar a ser usado em alto volume até 2018.


Isso é lamentável, porque as economias de 450 milímetros de escala - mais chips por wafer - vão ser necessários para manter a lei de Moore na pista.


Lembre-se, embora a Lei de Moore é popularmente conhecido como o número de transistores em uma determinada área do chip dobrando aproximadamente a cada dois anos mais ou menos, 1.965 de Moore papel que inspirou VLSI pioneiro Carver Mead para cunhar a frase "Lei de Moore" tinha um forte custo por componente de unidade a ele.


Cartoon of man selling 'Handy Home Computers' from Gordon Moore's seminal 1965 paper in Electronics Magazine

Ilustração presciente de papel de Moore 1965, "Congestionamento Mais Componentes para Circuitos Integrados"



Se EUV fazê-lo fora do "parece muito bom, mas ..." palco e no chão fab, ele terá que se casar com wafers de 450 milímetros para voltar a inclinação de custo por bit de Moore. Se EUV falhar, os elevados custos de tais ópticos catch-up truques como multipatterning e novos materiais irá diminuir fábricas 'custo-efetividade.


"Nós simplesmente não pode ficar sobre a tendência que temos historicamente assumido", disse Thrisk. Sim, EUV eliminaria a necessidade de esquemas multipatterning caros e movimentar fábricas mais perto de volta à pista de melhoria de custo por bit familiar, "Mas isso não nos comprar todo o caminho de volta para a tendência."


The future of Moore's Law, as plotted with wafer-size and lithography-type variables

Neste modelo DRAM, fábricas de hoje - a linha pontilhada azul - cada vez mais violam a Lei de Moore



Diferentes tipos de chips seriam beneficiados por diferentes quantidades do advento da EUV - chips lógicos, tais como CPUs beneficiariam muito, por exemplo, com melhorias de custo por wafer fechando em 40 por cento ao longo de litografia óptica a nós de processo de cerca de 19nm.


"Mas no negócio de DRAM", Thrisk disse: "EUV não é para ser ridicularizado", com melhorias de custo de duplicação entre 24 nanômetros e em torno de 19nm. Embora essas melhorias só seria, digamos, cerca de 4 por cento no nó de 19nm, 4 por cento da linha de fundo pode ser um pedaço o mudança bolada '.


E por falar em tais blocos, plaquetas 450 milímetros - pelo menos quando eles estão em primeiro lugar em uso de largura - será lajes caros de silício brilhante. Os povos fabulosos do mundo terá de esperar para beneficiar plenamente da economia de custos que vai finalmente oferecer em conjunto com EUV.


Ou seja, se EUV sempre aparece - há aqueles que têm dado em cima dele já.


Do ponto de vista de Thirsk ", EUV é necessária Se tivéssemos isso -., Mas existem desafios significativos lá, e provavelmente ainda uma chance significativa de fracasso." ®


Bootnote


Além de seu nano-Rhode Island padrão areal, Thirsk também forneceu uma qualidade Reg distância métrica, referindo-se a 10 nanômetros como "uma barba segundos" - a distância que a barba cresce nesse período de tempo. E sim, ele é britânico.



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