O Flash teve um ano fantástico em 2013, com um enorme número de desenvolvimentos.
Foi um ano de transição em flash em geral positivas, com geometria da célula encolhimento, matrizes totalmente em flash surgindo, as empresas de flash a ser comprado, as empresas de flash cair de volta à Terra depois de IPOs inflacionados ou simplesmente deixar de funcionar, ea felicidade de pulverização para fora como o sol a partir de três de flash híbrido / matriz de disco fornecedores.
Tentando manter-se com tudo isso e se encaixar em uma imagem grande era como tentar saborear delicadamente a partir da água que vem de Niagara Falls.
Ainda assim, algumas coisas que se tornou evidente a partir sob o dilúvio afogamento de notícias flash de produto e tecnologia. Começou a haver uma aceitação geral de que o acesso a I / O de dados aleatórios intensiva foi o melhor feito usando o flash em vez de disco e que arrays de todo-Flash definitivamente teve um papel como o melhor recipiente para armazenamento em rede de dados quentes, aleatórios. Disk era tão bom como o flash para streaming de dados, e também muito mais barato em uma base $ / GB. So-so arrays de disco foram melhores para nearline, fresco e possivelmente dados frios, e também para arquivos grandes com acesso de streaming.
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A visão de consenso foi que rápidos notebooks finos e leves do flash necessária para o melhor desempenho, assim como tablets. Mas drives flash + disco de 2,5 polegadas finos e híbridos poderiam ser usados, os fabricantes começaram a sugerir, em ambos os comprimidos e fatores de forma ultralite para fornecer velocidade do flash para dados quentes e mais barato a capacidade do disco para os dados interessantes relativamente a granel.
Nós vamos olhar para o lado comercial das coisas em um artigo posterior, mas agora vamos dar uma olhada em desenvolvimentos em tecnologia flash.
Não um monte de TLC
Nós não vimos célula tripla camada (TLC) NAND impulso para aplicações corporativas em 2013, flash TLC ser lento e ter um nível de escrita resistência ridiculamente curto. Também fundições de flash preferem fazer célula-camada simples ou múltipla (SLC e MLC) em suas linhas de produção de fundição, porque estes comandar maiores volumes e oferecer um melhor retorno sobre o investimento de fabricação. Flash TLC permanece relegado para pen drives, cartões de memória flash de câmera e assim por diante.
Houve o início de uma transição para 1X (19nm-10nm) geometrias de células do flash do 2X (29nm - 20nm) tecnologia. Toshiba, por exemplo, está construindo kit 19nm agora. Como um lembrete menor a geometria das mais chips flash NAND pode ser cortado a partir de uma pastilha, reduzindo assim o custo / GB. No entanto, a mudança não é nem mesmo em toda a indústria; Micron está em transição para 20nm agora com um processo de 16nm começando amostras de produção este ano.
Construir até NAND 3D
Uma coisa que não aconteceu foi o surgimento de qualquer tecnologia não-volátil para assumir o lugar de flash. É geralmente aceite que a tecnologia flash pode ser incapaz de desenvolver armazenamento flash empresa utilizável com resistência aceitável para baixo em 15nm e abaixo. Phase Change Memória e variedades de resistiva RAM, como Memristor da HP, ainda são o futuro da tecnologia, com NAND 3D de eliminar a folga de capacidade por cursinhos mais camadas de flash em um chip flash com conexão túneis (através Silicon Vias ou TSVs) ligando as camadas de uma camada de lógica de base.
NAND 3D diagrama esquemático. Clique na imagem para uma versão ampliada.
Micron espera iniciar os embarques de amostras de produção NAND 3D antes de meados de 2014, talvez já em abril. Mas o volume de produção não ocorrerá até 2015. Samsung amplamente divulgada sua tecnologia 3D_VNAND mas a produção não realmente olhar para iniciar a produção este ano e não é um produto orderable.
Jim Handy de análise objetiva produziu uma série de trabalhos bem NAND 3D em seu Guy Memória site , discutindo a tecnologia e os planos dos fabricantes .
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