Quatro meses depois de revelar sua NAND 3D tecnologia flash, Intel e Micron dizem que estão agora a amostragem do produto - um dia após sitiada SanDisk anunciou a sua tecnologia 48-layer entraria piloto de produção na segunda metade do ano.
Como nosso IMTF (Intel Micron Flash Technologies) par, os meninos de Boise, disse em novembro passado seu chip tem 32 camadas planas e 256Gbit - 32GB - de capacidade em uma matriz usando MLC (2 bits / célula) NAND, e 348Gbit - 48GB - utilizando TLC de flash (3 bits / célula).
Eles afirmam que é seu dispositivo flash de maior densidade já desenvolvido - [ea nível TLC] três vezes maior capacidade do que o outro [TLC 3D] NAND die na produção.
Pensamos que se refere aos moldes utilizados na Sammy 1TB 850 EVO , construídas com dies usando um processo 49-40nm. Este tem oito pacotes V-NAND, o que significa os 128MB, com cada um tendo eight128Gbit morre.
Isso significa TLC dies Intel / da Micron são 384Gbit (48GB), que significa que a nossa aritmética não suga, e esses chips de memória flash IMTF são três vezes mais denso do que de Sammy.
48-layer SanDisk / NAND da Toshiba 3D usa 128Gbit MLC dados.
Toshiba / SanDisk 48 de camada chips NAND 3D
Qual é a geometria processo? Estamos supondo que é 3X - 39nm-30nm - classe. Intel / Micron não está dizendo. AnandTech acha que é entre 35nm e 50nm. IMTF está usando um celular tradicional porta flutuante, dizendo que é o primeiro uso de uma célula de porta flutuante em NAND 3D, e fornece-los com maior desempenho, aumento da qualidade e confiabilidade.
Sammy e SandDisk / Toshiba uso, entendemos, uma tecnologia mais nova carga armadilha que poderia ser intrinsecamente melhor - dependendo smarts de fabricação e sua compreensão da física envolvida.
IMTF 3D NAND morrer
A gumstick-size (stick USB) SSD pode armazenar até 3.5TB com esses chips e um SSD de 2,5 polegadas mais de 10TB.
IMTF diz seus chips 3D têm um modo de suspensão para dados inativos, enquanto outros dados no chip são ativos; que irá poupar energia.
Entendemos que o produto MLC tem um ciclo de endurance 3000 write, bom o suficiente para produtos de classe de consumo. AnandTech sugere 10.000 é possível para produtos de nível corporativo.
Voltando atrás, temos Intel / Micron desfrutar de uma vantagem capacidade tríplice custou mais de Samsung, que é o transporte, e SanDisk / Toshiba, que é a amostragem como IMTF. Sammy é obrigado a levantar sua densidade V-NAND superior, mas 3X pode ser uma grande peça. Preço será fundamental e sabemos Sammy conseguiu um acordo para fornecer seu flash para a Apple, não é conhecida a pagar sobre as chances de hardware componente.
Quando o produto a partir de IMTF e SanDisk / Toshiba atinge a rua no primeiro semestre de 2016 não vai ser um punho de flash 3D lutar com capacidade, preço, desempenho e resistência sendo as armas usadas para brigar nos setores de mercado escolhidos. IMTF deve prevalecer onde a capacidade é fundamental, colocando as outras pessoas, sob pressão de preços. Traga este punho lutar.
O produto IMTF 256Gbit MLC já está amostragem eo design 384Gb TLC será a amostragem mais tarde nesta primavera. A produção inicial é, obviamente, em andamento. Intel e Micron estão desenvolvendo separadamente seus próprios produtos NAND 3D que devem ser anunciadas e disponíveis dentro de 12 meses. ®
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